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N64S0830HDA 参数 Datasheet PDF下载

N64S0830HDA图片预览

型号：	N64S0830HDA
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内容描述：	64Kb的低功耗串行SRAM的8K × 8位组织 [64Kb Low Power Serial SRAMs 8K 】 8 bit Organization]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	15 页 / 201 K
品牌：	AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]

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AMI半导体公司

ULP存储器解决方案

670北麦卡锡大道。 220套房

加利福尼亚州米尔皮塔斯95035

电话： 408-935-7777 ，传真： 408-935-7770

N64S0818HDA/N64S0830HDA

超前信息

64Kb的低功耗串行SRAM的

8K × 8位组织

概观

在AMI半导体串行SRAM系列

包括一些集成存储设备

包括本64K串行访问静态

随机存取存储器，内部组织结构

8K字由8位。该装置被设计和

采用AMI先进的CMOS制造

技术，以提供高速

高性能和低功耗。该器件工作

与单个芯片选择（ CS）输入信号，并使用一

简单的串行外设接口（ SPI ）的串行总线。

在一个单独的数据输入和数据输出线被一起使用

一个时钟的装置内访问数据。该

N64S08xxHDA设备包括一个HOLD引脚

允许通信设备被暂停。

暂停时，输入的脉冲将被忽略。

该设备可以在宽的温度工作在

-40系列

o

C至+ 85

o

C和可以在可用的

几个标准的封装产品。

特点

•电源选项

1.8V至3.6V

- 极低的待机电流

低至电流为200nA

•极低的工作电流

低至电流降至500uA

•简单的存储控制

单芯片选择（ CS ）

串行输入（ SI ）和串行输出（ SO ）

•灵活的操作模式

单词读写

页模式（ 32字页）

突发模式（全系列）

•组织

8K ×8位

•自定时写周期

•内置写保护（ CS高）

• HOLD引脚用于暂停通讯

•高可靠性

没有写次数限制

•符合RoHS标准的封装

绿色SOIC和TSSOP

DEVICE选项

产品型号

N64S0818HDA

N64S0830HDA

密度

64Kb

动力

电压（V）

1.8

3.0

速度

（兆赫）

20

25

特征

典型

待机

当前

200nA

1uA

读/写

工作电流

500微安@ 1MHz的

HOLD

1

这是一个发展的规范，并随时更改，恕不另行通知。

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