外设
成像
公司
PI0256HSN ， PI0512HSN ， PI1024HSN
25微米间距宽孔径光谱光电二极管阵列
技术数据表
描述
周边成像公司的HSN系列是家庭
的自扫描光电二极管的固态线性成像
阵列。
这些光电传感器采用事先知情同意的
专有的CMOS图像传感技术，以
这些传感器集成到一个单芯片。
这些传感器被最佳地设计用于
在光谱。因此，这些传感器中包含一个
光电二极管具有一个优化geomet-线性阵列
rical宽高比（25 -μm的孔径间距x 2500微米
开口宽度），用于帮助保持机械
稳定性在光谱仪器和用于提供
大的光捕获能力。传感器系列
由各种长度， 256的光电二极管阵列，
512和1024个像素。
的HSN的光电二极管阵列被安装在22针
适合在陶瓷侧钎焊双列直插式封装
标准DIP插座。其引脚排列组态的图
配给被认为是在图1中。
VSS
VDD
ABG
ADDCAP
TD1
VSS
TD2
NC
NC
NC
ABD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
NC
VSS
开始
CLK
NC
VDD
EOS
NC
VSS
QOUT
VDD
特点
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
选择饱和电荷容量。 65 -PC
容量更宽的动态范围。 25 -PC的低
噪音读出。
紫外 - （ 1000纳米180 ）宽的光谱响应
和IR响应。
NP结光电二极管具有超强的耐
紫外线的伤害。
低暗电流。
积分时间长达11秒的房间TE间
perature 。
积分时间延长到几个小时，冷却。
防晕染电路。
高线性度。
低功耗（低于1毫瓦） 。
几何结构，增强了稳定性和
注册。
标准22导联的双列直插式集成电路封装。
图1.引脚配置。
传感器特性
外设成像公司的自扫描
HSN光电二极管的间距为25微米的间距。该
线密度为40二极管/毫米，并相应的
不同阵列的整体模的长度随
光电二极管的数量。例如， 256像素
阵列是6.4毫米长， 512像素阵列是12.8毫米
长，和1024像素阵列是25.6毫米长。每
数组有四个额外的虚拟光电二极管。在每个
侧，有一暗（非成像）虚设光电
二极管和一个成像假的光电二极管。高度
该传感器是2500
µm.
在又高又窄孔径
使这些传感器希望在monochro-使用
mators和光谱仪。
第1页8
2002年3月13日
AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
