AS1360
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9应用信息
图14. AS1360 - 典型应用图
+9V
碱性
电池
3
C
IN
1µF
*
V
IN
AS1360
2
V
OUT
C
OUT
1µF
*
V
OUT
= 3.3V
GND
*
1
钽电容
功耗
的AS1360的功耗（PD ）是功率的由p沟道MOSFET和静态耗散的总和
当前需要偏置内部参考电压和内部功率放大，并且被计算为：
PD（ P沟道MOSFET ） = （Ⅴ
IN
- V
OUT
)I
OUT
（公式1）
内部功耗作为偏置电流的内部基准电压和误差放大器的一个结果是校准 -
culated为：
PD （ BIAS） =
V
IN
I
GND
总AS1360功耗的计算公式为：
PD （总） = PD （ P沟道MOSFET ） + PD （偏置）
（公式3 ）
内部静态偏置电流（ 2μA ，典型值）是这样的： PD （偏置）项的（等式3）可以忽略不计的
最大功耗可以用V来估计
IN （MAX）
和V
OUT （分钟）
以获得最大电压差
V之间
IN
和V
OUT
和乘以最大输出电流的最大电压差是：
PD = （V
IN （MAX）
V
OUT （分钟）
)I
输出（最大）
其中：
V
IN
= 3.3〜 4.1V
V
OUT
= 3.0V ±2%
I
OUT
= 1至100mA
T
AMB （最大值）
= 55ºC
P
最大
= （ 4.1V - （ 3.0V X 0.98 ） ）×百毫安= 116.0mW
（公式4 ）
（公式2 ）
结温
该AS1360结温（T
J
）可以通过先计算结点的热阻抗来确定温
perature到环境温度。
注意：
热电阻，估计是在结温 - 空气温度ř
θJA
和近似
230℃/ W或335ºC / W （安装在铜的1平方英寸时） 。 ř
θJA
将根据PCB的布局有所不同，
空气流动和应用的具体条件。
的AS1360结温是通过计算引起T中确定
J
上述牛逼
AMB
中，然后加入增加
的t
AMB
:
T
J
= P
D（最大）
个R
Φ
JA
+
T
AMB
从（ EQ 5 ） ， T的值
J
可以计算为：
T
J
= 116.0mW X 230ºC / W + 55ºC
因此：
T
J
= 81.68ºC
（ EQ 5 ）
修订1.04
8 - 12
AMSCO [ AUSTRIAMICROSYSTEMS AG ]
