AMS2300
描述
该
AMS2300
是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
生产采用高密度， DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通状态resistance.These设备
特别适用于低电压应用，如蜂窝电话和笔记本
电脑的电源管理和其他面糊供电电路和低I N线的功率损耗
都需要在一个非常小外形表面安装封装。
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引脚配置
SOT-23-3L
特征
20V / 6.0A ，R
DS （ ON）
= 22米（典型值）。
@V
GS
= 10V
20V / 5.0A ，R
DS （ ON）
= 36m
@V
GS
= 4.5V
20V / 4.5A ，R
DS （ ON）
= 45m
@V
GS
= 2.5V
20V / 4.0A ，R
DS （ ON）
= 60m
@V
GS
= 1.8V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
出色的导通电阻和
最大直流电流能力
SOT- 23-3L封装设计
3
D
G
1
S
2
1.Gate
2.Source
3.Drain
最热
SOT-23-3L
3
42YA
1
Y：年份代码
2
答：处理代码
订购信息
产品型号
包
最热
g
AMS2300
g
SOT-23-3L
42YA
※
过程代码： A〜Z ; A〜Z
1
先进的单片系统
http://www.ams-semitech.com
AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]
