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AMS3400SRG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AMS3400SRG
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内容描述: ?超级高密度电池设计极低的RDS ( ON) [Super high density cell design for extremely low RDS(ON)]
分类和应用: 电池
文件页数/大小: 6 页 / 670 K
品牌: AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]
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AMS3400SRG
电气特性
( TA = 25
除非另有说明)
参数
符号
条件
TYP MAX
单位
STATIC
漏源击穿
电压
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
30
V
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
V
DS
= VGS ,我
D
=250uA
0.5
1.5
V
栅极漏电流
I
GSS
V
DS
=0V,V
GS
=
±
12V
±
100
nA
V
DS
=24V,V
GS
=0V
零栅压漏
当前
I
DSS
1
V
DS
=24V,V
GS
=0V
T
J
=55
10
25
30
40
uA
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS
=10V,I
D
=5.8A
V
GS
=4.5V,I
D
=4.8A
V
GS
=2.5V,I
D
=4.0A
m
Ω
正向跨导
g
fs
V
DS
=4.5V,I
D
=5.8A
12
S
二极管的正向电压
V
SD
I
S
=1.7A,V
GS
=0V
1.2
V
动态
总栅极电荷
Q
g
栅极 - 源电荷
Q
gs
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
V
DS
=15V
V
GS
=10V
I
D
6.7A
9.7
18
nC
1.6
3.1
输入电容
输出电容
C
国际空间站
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
V
DS
=15V
V
GS
=0V
F=1MH
z
450
240
38
pF
开启时间
t
D(上)
tr
打开-O FF时间
t
D(关闭)
tf
V
DD
=15V
R
L
=15
Ω
I
D
=1.0A
V
=10V
R
G
=6
Ω
7
15
10
20
nS
20
40
11
20
3
先进的单片系统
http://www.ams-semitech.com