AMS73CAG01808RA
模式寄存器MR1
模式寄存器MR1的存储数据，用于启用或禁用该DLL ，输出驱动强度， RTT_Nom
阻抗，附加延迟，写使能练级， TDQS启用和QOFF 。
该模式寄存器1写的是主张低CS ， RAS ， CAS，WE ，对BA1和BA2高的BA0 ，低，
同时，根据下表控制的地址引脚的状态。
BA2
BA1
BA0
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
地址栏
0*
1
0
1
0*
1
QOFF
tDQS
0*
1
Rtt_Nom
0*
1
水平
Rtt_Nom
D.I.C
AL
Rtt_Nom
D.I.C DLL
模式寄存器1
A11
0
1
TDQS ENABLE
残
启用
A9 A6 A2
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
Rtt_Nom
*3
ODT残疾人
RZQ/4
RZQ/2
RZQ/6
RZQ/12*
4
RZQ/8*
4
版权所有
版权所有
A0
0
1
DLL使能
启用
关闭
A7
0
1
写调整使
残
启用
1
1
1
1
注： RZQ = 240欧姆
A4
0
0
1
1
A3
0
1
0
1
附加延迟
0 （ AL禁用）
CL-1
CL-2
版权所有
*
3 ：在写练级模式（ MR1 [第7位= 1 ）
与MR1 [位12 ] = 1时，所有RTT_Nom设置
被允许的;在写代练模式
（ MR1 [第7位= 1）与MR1 [位12 ] = 0 ，仅
RZQ / 2 ， RZQ / 4 RTT_Nom设置和
RZQ / 6是允许的。
*
4 ：如果RTT_Nom是在写操作时，
仅值RZQ / 2 ， RZQ / 4和RZQ / 6
是允许的。
A5 A1
0
0
1
1
0
1
0
1
输出驱动器阻抗控制
RZQ/6
RZQ/7
RZQ / TBD
RZQ / TBD
A12
0
1
QOFF
*2
输出缓冲区启用
输出缓冲器被禁止
*2
*2:
输出禁用 - 的DQ ， DQSS ， DQSS 。
BA1
0
0
1
1
BA0
0
1
0
1
MRS模式
MR0
MR1
MR2
MR3
注： RZQ = 240欧姆
* 1： BA2 ，A8， A10和A13被保留以供将来使用（ RFU）和MRS期间必须被编程为0。
AMS73CAG01808RA
1.0版2010年12月
8
AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]
