AMS73CAG01808RA
模式寄存器MR2
该模式寄存器MR2存储数据刷新控制相关的功能， RTT_WR阻抗和
CAS写入延迟（ CWL ） 。该模式寄存器2写的是主张低CS ， RAS ， CAS，WE ，在高
BA1 ，低BA0和BA2 ，而根据下表控制的地址引脚的状态。
BA2
BA1
BA
0
A
13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
地址栏
0*
1
1
0
0*
1
Rtt_WR
0*
1
SRT ASR
CWL
PASR *
2
模式寄存器2
A2 A1 A0
A7
0
1
自刷新温度范围（SRT）
正常工作温度范围
扩展温度自刷新（可选）
0
0
0
0
A6
0
1
自动自刷新（ ASR ）
手册SR参考（ SRT ）
ASR使能（可选）
1
1
1
1
A10 A9
0
0
1
1
0
1
0
1
Rtt_WR
*2
动态ODT关闭
（写不影响RTT值）
RZQ/4
RZQ/2
版权所有
A5 A4 A3
0
0
0
0
BA1
0
0
1
1
BA0
0
1
0
1
MRS模式
MR0
MR1
MR2
MR3
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
0
1
1
部分阵列自刷新（可选）
0全阵列
1 HalfArray （BA [2：0 ] = 000001010 ， &011 ）
0季度阵列（ BA [ 2 ： 0 ] = 000 ， & 001 ）
1 1/ 8阵列（ BA [ 2：0] = 000）
0 3/4阵列（ BA [ 2：0] = 010,011,100,101,110 ， & 111）
1 HalfArray （ BA [ 2：0] = 100， 101 ，110， &111 ）
0季阵列（ BA [ 2：0] = 110 ， &111 ）
1 1/ 8阵列（ BA [ 2：0] = 111）
CAS写入延迟（ CWL ）
5 （ TCK （ AVG）
≥
2.5ns)
6 （为2.5ns
>tCK （ AVG） ≥
1.875ns)
7 （ 1.875ns>tCK （ AVG）
≥
1.5ns)
8 （ 1.5ns>tCK （ AVG）
≥
1.25ns)
版权所有
版权所有
版权所有
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* 1 ： BA2 ， A8 ， A11 〜 A13是足协和MRS期间必须设置为0 。
* 2： Rtt_WR值可以在即使当Rtt_Nom被禁止写操作被应用。
在写练级，动态ODT不可用。
AMS73CAG01808RA
1.0版2010年12月
9
AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]
