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    晶体管
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    FDPC8014AS

     25V，不对称双 N 沟道，PowerTrench® Power Clip MOSFET
    暂无信息
    0 ONSEMI

    GRM1552C1H6R7BA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FDS8884

     N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V，8.5A，23mΩ
    PC开关脉冲光电二极管晶体管
    0 ONSEMI

    GRM32QR72J223KW01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FDN352AP

     单 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-1.3A，180mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    GRM319R72A682KA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM1885C1H511JA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    FDPF10N50UT

     功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，Ultra FRFETTM，500 V，8 A，1.05 Ω，TO-220F
    局域网开关脉冲晶体管
    0 ONSEMI

    V23990-P768-CY-PM

     Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current
    暂无信息
    6 VINCOTECH

    IMZA120R020M1H

     采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
    开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
    0 INFINEON

    GQM2195C2E5R3BB12#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
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    GRM033B11A822MA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    GJM0225C1E6R9CB01#

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    GJM0335C1E4R9WB01#

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