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    AF9435P 参数 Datasheet PDF下载

    AF9435P图片预览
    型号： AF9435P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P通道30 -V （D -S ）的MOSFET [P-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 263 K
    品牌： ANACHIP [ ANACHIP CORP ]
     浏览型号AF9435P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AF9435P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AF9435P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AF9435P的Datasheet PDF文件第5页  
    AF9435P
    P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    I
    S
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    （注1 ）
    T
    A
    =25ºC
    T
    A
    =70ºC
    漏电流脉冲
    （注2 ）
    连续源电流（二极管传导）
    （注1 ）
    T
    A
    =25ºC
    功耗
    （注1 ）
    T
    A
    =70ºC
    工作结存储温度范围
    等级
    -30
    ±25
    ±6.5
    ±5.2
    ±30
    -1.6
    3.1
    2.0
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    ºC
    热电阻额定值
    符号
    R
    θJC
    R
    θJA
    参数
    最大结到外壳
    （注1 ）
    最大结点到环境
    （注1 ）
    t
    ＆ LT ;
    5秒
    t
    ＆ LT ;
    5秒
    最大
    25
    40
    单位
    摄氏度/ W
    摄氏度/ W
    注1 ：
    表面装在1 “×1” FR4板。
    注2 ：
    脉冲宽度有限的最高结温
    特定网络阳离子
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    符号
    STATIC
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    r
    DS （ ON）
    参数
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    门体漏
    零栅极电压漏极电流
    通态漏电流
    （注3）
    漏源导通电阻
    （注3）
    测试条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =-250uA
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    =-250uA
    V
    DS
    =0V, V
    GS
    =±25V
    V
    DS
    =-24V, V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =-24V, V
    GS
    =0V,
    T
    J
    =55ºC
    V
    DS
    =-5V, V
    GS
    =-10V
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    =-5.7A
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    =-5.0A
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    =-5.7A,
    T
    J
    =55ºC
    V
    DS
    = -15V ，我
    D
    =-5.7A
    I
    S
    = -2.1A ，V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =-15V, V
    GS
    =-4.5V,
    I
    D
    =-5.7A
    分钟。
    -30
    -1
    -
    -
    -
    -30
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    范围
    典型值。
    -
    -1.6
    -
    -
    -
    -
    38
    54
    42
    19
    -0.7
    6
    2.0
    2.7
    7
    13
    14
    9
    马克斯。
    -
    -3
    ±100
    -1
    -5
    -
    49
    69
    54
    -
    -1.2
    11
    -
    -
    14
    24
    25
    17
    S
    V
    单位
    V
    V
    nA
    uA
    A
    mΩ
    g
    fs
    转发Tranconductance
    （注3）
    V
    SD
    二极管的正向电压
    动态
    （注4 ）
    Q
    g
    总栅极电荷
    Q
    gs
    栅极 - 源电荷
    Q
    gd
    栅极 - 漏极电荷
    开关
    t
    D（上）
    导通延迟时间
    t
    r
    上升时间
    t
    D（关闭）
    打开-O FF延迟时间
    t
    f
    下降时间
    nC
    V
    DD
    =-15, R
    L
    =15Ω,
    I
    D
    = -1A ，V
    根
    =-10V,
    R
    G
    =6Ω
    nS
    注3 ：
    脉冲测试： PW
    ＆ LT ;
    300US占空比
    ＆ LT ;
    2%.
    注4 ：
    通过设计保证，不受生产测试。
    易亨电子股份有限公司
    www.anachip.com.tw
    2/5
    修订版1.1 2004年7月20日

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