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13PD150-ST 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 13PD150-ST
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内容描述: 高性能的InGaAs的p-i - n光电二极管 [High Performance InGaAs p-i-n Photodiode]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 82 K
品牌: ANADIGICS [ ANADIGICS, INC ]
   
高性能的InGaAs的p-i - n光电二极管
“意法半导体有源器件贴装
13PD150-ST
该13PD150 -ST是一种InGaAs光电二极管具有150微米直径的感光区域
封装在TO - 46头和对齐在一个AT&T ST有源器件装配,旨在为
高的耦合效率,以多模光纤在中度至高速应用。平面
半导体设计和电介质钝化提供低噪声性能。可靠性
保证通过气密密封和100%的吹扫烧机(200
o
C, 15小时后, V
r
= 20V ) 。在ST
插座适用于舱壁和印刷电路板安装。
特点
平面结构
电介质钝化
100 %清除老化测试
高响应
设备特点:
参数
工作电压
暗电流
电容
响应
上升/下降
反向电压
正向电流
反向电流
工作温度
储存温度
焊接温度
测试条件
-
-5V
-5V
1300nm
-
-
-
-
0.5
1.5
0.7
-
典型值
-
最大
-20
nA
pF
-
0.5
单位
2.5
2.25
0.8
-
/ W
ns
绝对最大额定值
20伏
5毫安
1毫安
o
-40°C至+ 85
o
C
-40
o
C至+ 85
o
C
250
o
C
829弗林路,卡马里奥,CA 93012
tel(805)445-4500
fax(805)445-4502