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    AN-0002 参数 Datasheet PDF下载

    AN-0002图片预览
    型号： AN-0002
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    内容描述： 偏置电路和注意事项的GaAs MESFET功率放大器 [Biasing Circuits and Considerations for GaAs MESFET Power Amplifiers]
    分类和应用： 放大器功率放大器
    文件页数/大小： 6 页 / 59 K
    品牌： ANADIGICS [ ANADIGICS, INC ]
     浏览型号AN-0002的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AN-0002的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AN-0002的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AN-0002的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AN-0002的Datasheet PDF文件第6页  
    MESFET放大器偏置
    AN-0002
    偏置电路和注意事项
    砷化镓MESFET功率放大器
    摘要
    为了正确地使用任何放大器，需要提供正确的操作环境，
    尤其是直流偏置。本应用笔记介绍了偏置MESFET一些注意事项
    放大器。此项目被认为是：
    •
    恒流工作，
    •
    温度补偿的偏置网络，并且
    •
    所施加的电压的上电顺序。
    概观
    图1中的IV曲线表示在一个共同的源结构的典型MESFET器件。对于
    典型的设备中的一类操作所需的电流是最大电流的50％的任何特定
    的一部分。典型的MESFET器件是耗尽型的，这意味着最高的漏极 - 源极电流发生
    为大约零（ VGG 〜 + 0.5V ）的栅极电压。作为栅极电压变得更负，则
    器件电流下降并最终接近零的夹断电压。在两个主要变量
    生产MESFET功率放大器的最大电流和夹断电压。自
    工作电压被假定为固定在系统中的可用的电压，它是漏极电流
    应监视和控制，以便从单元提供一致的性能，以单位。
    1.0
    m1
    0.8
    Ids.i ，A
    0.6
    m1
    Vdd=1.200
    Vgg=0.000
    Ids.i=0.869
    m2
    m2
    Vdd=7.000
    Vgg=-1.100
    Ids.i=0.337
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0.4
    0.2
    0.0
    VDD
    图典型的MESFET器件1的IV特性。
    05/2003

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