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AS29LV800T-70RSC 参数 Datasheet PDF下载

AS29LV800T-70RSC图片预览
型号: AS29LV800T-70RSC
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内容描述: 3V 1M × 8 / 512K × 16的CMOS闪存EEPROM [3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM]
分类和应用: 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 25 页 / 440 K
品牌: ANADIGICS [ ANADIGICS, INC ]
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2001年3月
®
AS29LV800
3V 1M × 8 / 512K × 16的CMOS闪存EEPROM
特点
•组织: 1M × 8 / 512K × 16
•部门架构
- 一个16K ; 2 8K ; 1 32K ;十五64K字节的扇区
- 一个8K ; 2 4K ; 1 16K ;十五32K字部门
- 引导代码扇区架构-T(顶部)或B(底部)
- 擦除扇区或整片的任意组合
•读/写操作单2.7-3.6V电源
•扇区保护
•高速70/80/90/120 ns的地址,访问时间
•自动芯片编程算法
- 自动程序/在指定地址的数据验证
•自动芯片擦除算法
- 自动preprograms /擦除芯片或指定
扇区
=硬件复位引脚
- 复位内部状态机读取模式
•低功耗
- 200 nA的典型的自动休眠模式电流
- 200 nA的典型待机电流
- 10毫安典型的读取电流
• JEDEC标准的软件,封装与引脚
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO ;可用性待定
•检测程序/擦除周期结束
- DQ7数据查询
- DQ6触发位
- DQ2触发位
- RY / BY输出
•擦除暂停/恢复
- 支持读取数据或编程数据到
行业不被擦除
•低V
CC
写锁定低于1.5V
•10年的数据保存在150℃下
• 100,000次写/擦除周期耐力
逻辑框图
RY / BY
V
CC
V
SS
RESET
编程/擦除
控制
命令
注册
CE
OE
A-1
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据锁存器
部门保护/
擦除电压
开关
擦除电压
发电机
DQ0–DQ15
管脚配置
48针TSOP
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
V
SS
OE
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
44引脚SO
输入/输出
缓冲器
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
WE
字节
AS29LV800
V
CC
探测器
定时器
地址锁存
机顶盒
Y译码
ÿ门控
X解码器
细胞矩阵
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
V
SS
CE
A0
A0–A18
选购指南
29LV800-70R
*
最大访问时间
最大的芯片使能访问时间
最大输出使能访问时间
3.0〜 3.6V *稳压电压范围
29LV800-80
80
80
30
29LV800-90
90
90
35
29LV800-120
120
120
50
AS29LV800
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
DQ15/A-1
A16
字节
V
SS
单位
ns
ns
ns
t
AA
t
CE
t
OE
70
70
30
3/22/01; V.1.0
半导体联盟
25 P. 1
版权所有©联半导体公司。版权所有。