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AWS5503S15 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AWS5503S15
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内容描述: 砷化镓集成电路高功率单刀双掷开关反射阳性对照DC- 3 GHz的 [GaAs IC High Power SPDT Reflective Switch Positive Control DC-3 GHz]
分类和应用: 开关射频微波光电二极管
文件页数/大小: 8 页 / 537 K
品牌: ANADIGICS [ ANADIGICS, INC ]
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砷化镓集成电路高功率SPDT反光
开关阳性对照DC- 3 GHz的
初步数据表 - 版本1.0
特点
·
·
·
·
·
高线性度( IP3 55 dBm的@ 1.9 GHz的)
高隔离度(20 dB的1.9千兆赫)
低插入损耗( 0.55分贝@ 1.9 GHz)的\\
低DC功耗
正3V或5V控制电压
AWS5503
APPLICATIONNS
·
典型的应用包括:发射/
接收开关,开关的多样性,以及
天线选择。
S15
MSOP-8
8引脚塑料封装
产品说明
该AWS5503是一个单刀双掷( SPDT )
砷化镓MMIC组装在MSOP- 8塑料封装。
该AWS5503被设计用于模拟和数字
适用于要求低插入损耗,高
线性度和小尺寸。选择国家实现
具有正电压。
表1 :引脚说明
ñ AME
GND
Vs
RF
IN
(J1)
GND
RF
OUT
(J2)
V1
V2
RF
OUT
(J3)
ð ESC ř IPTION
地面connecti上。 (越短possi BLE )
碧如电压POSI TI已经控制( 3V至5V ) 。
常见的RF端口。
地面connecti上。 (请短possi BLE )
RF端口(可以用作一个i- NPUT或作为输出)
Ç ONTROL电压1 (低0V ,喜GH 3V至5V )
Ç ONTROL电压2 (低0V ,喜GH 3V至5V )
RF端口(可以用作一个i- NPUT或作为输出)
GND
V
s
RF
IN
(J1)
C1
GND
V
2
V
1
C
2
C
3
RF
输出2
(J3)
1
2
3
4
5
6
7
8
外部隔直流电容器是必需的
所有RF端口。
C
1,2, 3
= 100 pF的操作>500兆赫。
1
2
3
4
图1 :引脚布局
8
7
6
5
RF
出1
(J2)
08/2001