蜂窝CDMA 3.4 V / 28 dBm的
线性功率放大器模块
数据表 - 版本2.0
AWT6301R
特点
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的InGaP HBT技术
高效率:
40%, V
模式
= 0 V
41%, V
模式
= 2.85 V(无模式切换)
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低静态电流: 50毫安
低漏电流的关断模式: <1
µA
V
REF
= 2.85 V( 2.75 V MIN温度过高)
优化用于一个50
Ω
系统
薄型表面贴装封装: 1.1毫米
CDMA 1XRTT , 1xEV-DO的标准
引脚排列可方便手机主板迁移
从4毫米×4毫米包装
符合RoHS的封装, 250
o
Ç MSL - 3
应用
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CDMA / EVDO小区频无线手机和
数据的设备
M9套餐
8引脚3 ×3 ×1毫米
表面贴装模块
产品说明
该AWT6301R满足不断增长的需求
更高的效率和线性度在CDMA1X手机。
该封装引脚选择为使手机
制造商从采用4mm x 4mm PA切换
除了极少数的布局更改电话模块
板。该设备采用先进的制造
的InGaP HBT MMIC技术制造,提供先进的,任何─
先进的可靠性,温度稳定性和耐用性。
可选的偏置模式,优化效率
对于不同的输出功率电平,和一个关闭
具有低泄漏电流模式,用于增加
手机的通话和待机时间。自包含的
3毫米x 3毫米x 1毫米表面贴装封装
采用了优化的输出匹配网络
的功率,效率和线性度在50
Ω
系统。
GND在蛞蝓( PAD)
V
REF
1
偏置控制
8
GND
RF
OUT
V
模式
2
RF
IN
7
3
6
GND
V
CC1
4
5
V
CC2
图1 :框图
10/2008