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AWT6625ARM45P9 参数 Datasheet PDF下载

AWT6625ARM45P9图片预览
型号: AWT6625ARM45P9
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内容描述: HELP4 UMTS800 (频段5 ) WCDMA , CDMA多模PAM [HELP4 UMTS800 (Band 5) WCDMA, CDMA Multimode PAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 752 K
品牌: ANADIGICS [ ANADIGICS, INC ]
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AWT6625A
应用信息
为了确保适当的性能,是指所有相关
在ANADIGICS网站报名须知:
http://www.anadigics.com
关断模式
功率放大器可被置于关断模式
运用逻辑低的水平(见工作范围
表)至V
EN
, V
MODE1
和V
MODE2
电压。
偏置模式
功率放大器可以被放置在任何低,
中等或高偏置模式通过应用
适当的逻辑电平(见工作范围表)
于V
模式
电压。下面偏置控制表
列出的操作的推荐模式的各种
应用程序。
三种操作模式,建议优化
电流消耗。高偏置/高功率运行
模式是用于P
OUT
各级> 17 dBm的。在〜 17 dBm的 - 7
dBm时, PA应该是“模式转换”到中等
电源模式。对于P
OUT
各级< 〜 7 dBm时, PA可
切换到低功率模式,进一步降低静态
电流消耗。
表6 :偏置控制
应用
低功耗
(低偏置模式)
医学功率
(中偏置模式)
高功率
(高偏置模式)
关闭
P
OUT
水平
+7 dBm的
> 7 dBm的
+17 dBm的
> +17 dBm的
-
BIAS
模式
关闭
V
EN
+1.8 V
+1.8 V
+1.8 V
0V
V
MODE1
+1.8 V
+1.8 V
0V
0V
V
MODE2
+1.8 V
0V
0V
0V
V
CC
3.2 - 4.35 V
3.2 - 4.35 V
3.2 - 4.35 V
3.2 - 4.35 V
V
BATT
> 3.2 V
> 3.2 V
> 3.2 V
> 3.2 V
V
BATT
V
CC
C5
2.2 µF
RF
IN
V
MODE2
V
MODE1
V
EN
C1
C9
0.01 μF 100 pF的
GND在塞
1
2
3
4
5
V
BATT
RF
IN
V
MODE2
V
MODE1
V
EN
V
CC
RF
OUT
CPL
IN
GND
10
9
8
7
C3
330 pF的
C2
C4
0.01 μF 2.2 μF的陶瓷
RF
OUT
CPL
IN
CPL
OUT
CPL
OUT
6
图3 :评估板电路图
6
数据表 - 版本2.6
02/2012