AAT3218IGV-2.6-T1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AAT3218IGV-2.6-T1
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内容描述：	150毫安微功耗™高性能LDO [150mA MicroPower⑩ High Performance LDO]
分类和应用：	稳压器电源电路
文件页数/大小：	18 页 / 368 K
品牌：	ANALOGICTECH [ ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES ]

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150毫安微功耗™高性能LDO

应用信息

以保证最大可能的性能是

从AAT3218获得，请参考跟着

降脂应用建议。

AAT3218

在低输出电流的应用场合输出

负荷是小于10mA ，为最小值

OUT

可低至0.47μF 。

旁路电容和低噪声

应用

旁路电容引脚提供增强

在AAT3218 LDO稳压的低噪音特点

荡器。旁路电容是没有必要的

在AAT3218的操作。然而，对于最佳的器件

高性能，小型陶瓷电容应

放置之间的旁路端子（ BYP ）和设备

接地端子（GND ）。 C的值

BYP

可能的范围

从470pF的至10nF 。对于最低噪声和最佳POS-

sible电源纹波抑制的性能，

10nF电容应该被使用。为了切实实现

最高的电源纹波抑制和最低

输出噪声性能，这是很关键的capac-

在BYP引脚和GND引脚之间itor连接是

直接和PCB走线应尽可能短， possi-

BLE 。请参考PCB布局建议

此数据表中的示例部分。

有旁通关系capac-

itor值和LDO稳压器导通时间，

关断时间。在应用中快速的设备

导通和关断时间都需要的话，该值

BYP

应减少。

在应用中的低噪声性能和/

或纹波抑制比是少了关注，旁路

电容器可以省略。最快的设备开启

上的时间将被实现时，没有旁路电容器

被使用。

该引脚上的直流泄漏会影响LDO稳压

器的输出噪声和电压调节perform-

ANCE 。出于这个原因，使用一个低的泄漏，

高品质陶瓷（NPO法人或C0G型）或薄膜

电容强烈推荐。

输入电容

通常情况下，一个1μF或更大的电容是推荐使用

ED对C

在大多数应用中。 A C

电容

不需要基本的LDO稳压器的操作。

然而，如果AAT3218物理上位于更

比，从输入功率源的三厘米，

A C

电容器将用于稳定工作。

应尽可能靠近器件V

针

实际可能。 ç

值大于

1μF将提供优越的输入线路瞬态响应

并协助最大化尽可能高的

电源纹波抑制比。

陶瓷，钽和铝电解质capac-

itors可以选择对C

。没有具体的

电容的ESR要求对C

。然而，对于

150毫安LDO稳压器的输出操作，陶瓷

电容器被推荐对C

由于它们的

在钽电容器可承受的固有能力

站输入浪涌电流低阻抗

源，如电池的便携式设备。

输出电容

对于适当的负载电压调节和操作

稳定性，需要销V之间的电容器

OUT

和GND 。了C

OUT

电容连接到

LDO稳压器的接地引脚应作为

作为指导实际可能的最大器件

性能。

该AAT3218是专为功能

化非常低ESR的陶瓷电容。为了获得最好的

性能，陶瓷电容器被推荐。

最大输出典型输出电容值

当前条件范围从1μF到10μF 。

利用极低的输出应用

噪声和最佳的电源纹波抑制

在AAT3218的特点应使用2.2μF或

更大的对C

OUT

。如果需要的话，C

OUT

可以增加

无极限。

电容特性

陶瓷电容组成的强烈建

谁料超过所有其他类型的电容器用

与AAT3218 。陶瓷电容器提供了许多

在他们的钽电容和铝elec-优势

trolytic同行。陶瓷电容器通常

3218.2006.04.1.8

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