150毫安微功耗™高性能LDO
具有非常低的ESR ，是成本低，具有更小的印刷电路板
足迹，并且是非偏振光。线路和负载转录
LDO稳压器的过性反应是由改善
使用低ESR的陶瓷电容。由于陶瓷
电容器是非偏振光，它们不容易出现
不正确的连接损坏。
等效串联电阻：
ESR是一个非常
重要的特性选择时要考虑的
电容。 ESR是内部串联电阻阿索
ciated一个电容，包括导线电阻，
内部连接，尺寸和面积，材料康波
习得和环境温度。通常情况下，电容
ESR的单位是毫欧的陶瓷电容器
和范围可以超过几欧姆tanta-
LUM或铝电解电容。
陶瓷电容器材料：
陶瓷电容
器小于0.1μF典型地由NPO制成
或C0G材料。 NPO和C0G材料gener-
盟友有严格的公差和超过十分稳定
温度。更大的电容值通常
X7R ， X5R ， Z5U ， Y5V或电介质的组成
材料。大的陶瓷电容器（即，更大的
大于2.2μF ）常常在低成本Y5V提供
Z5U电介质。这两种类型的材料都没有
推荐用于自LDO稳压器
电容的容差可以通过变化超过± 50 ％
在工作温度范围内的装置。一
2.2μF Y5V电容器可以减少到1μF以上
温度;这可能会导致对电路问题
操作。 X7R和X5R电介质得多
可取的。 X7R的温度耐受性
介电比± 15 ％为佳。
电容方面是另一个贡献者ESR 。
电容在物理尺寸大将对
一个较低的ESR相比，较小尺寸的
的等效材料和容量电容器
值。这些较大的设备可以提高电路的转录
相比于同等价值过性反应
电容器在更小的封装尺寸。
仔细咨询电容器供应商数据表
选择电容的LDO稳压器时。
AAT3218
使能功能
该AAT3218提供一个LDO稳压器，启用/
禁用功能。该引脚（ EN ）为高电平有效，是
与CMOS逻辑兼容。为了保证LDO
监管机构将切换时， EN接通控制水平
必须大于1.5V 。该LDO稳压器
进入禁止关断模式时，电压
年龄对EN引脚低于0.6V 。如果使
函数中不需要一个特定的应用程序，它
可以连接到V
IN
保持LDO稳压器在
连续的状态。
当LDO稳压器在关断模式下，
内部1.5kΩ电阻连接V之间
OUT
和GND 。这是为了排出Ç
OUT
当
LDO稳压器被禁用。内部的1.5kΩ
对设备的开启时间没有不利的影响。
短路保护
该AAT3218包含一个内部短路亲
tection电路将触发时，输出负载
电流超过内部阈值限制。下
短路条件下， LDO的输出稳压
软件模拟器将电流限制到短路
条件从输出或LDO稳压除去
荡器封装的功耗超过了
设备热限制。
热保护
该AAT3218有一个内部热保护税务局局长
CUIT这将打开时，该设备死亡temper-
ATURE超过150℃ 。内部热保护
化电路将积极关断LDO稳压器
输出传递装置，防止过度的可能性
冷害。 LDO稳压器的输出
仍将处于关机状态，直到内部芯片
温度降低到低于150 ℃的触发点。
短期之间的结合和相互作用
电路及热保护系统，使
LDO稳压器可承受无限期短路
条件而不遭受永久性损坏。
10
3218.2006.04.1.8
ANALOGICTECH [ ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES ]
