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AAT3236IGV-3.0-T1图片预览
型号: AAT3236IGV-3.0-T1
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内容描述: 300毫安CMOS高性能LDO [300mA CMOS High Performance LDO]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 227 K
品牌: ANALOGICTECH [ ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES ]
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AAT3236
300毫安CMOS高性能LDO
足迹,并且是非偏振光。线路和负载转录
LDO稳压器的过性反应是由改善
使用低ESR的陶瓷电容。由于陶瓷
电容器是非偏振光,它们不容易出现
不正确的连接损坏。
等效串联电阻:
ESR是一个非常
重要的特性选择时要考虑的
电容。 ESR是内部串联电阻阿索
ciated一个电容,包括导线电阻,
内部连接,尺寸和面积,材料康波
习得和环境温度。通常情况下,电容
ESR的单位是毫欧的陶瓷电容器
和范围可以超过几欧姆tanta-
LUM或铝电解电容。
陶瓷电容器材料:
陶瓷电容
器小于0.1μF典型地由NPO制成
或C0G材料。 NPO和C0G材料gener-
盟友有严格的公差和超过十分稳定
温度。更大的电容值通常
X7R , X5R , Z5U , Y5V或电介质的组成
材料。这两种材料的类型不推荐
谁料使用以来的LDO稳压器
电容的容差可以通过变化超过± 50 %
在工作温度范围内的装置。一
2.2μF Y5V电容器可以减少到1μF以上
温度;这可能会导致对电路问题
操作。 X7R和X5R电介质得多
可取的。 X7R的温度耐受性
介电比± 15 %为佳。
电容方面是另一个贡献者ESR 。
电容在物理尺寸大将对
一个较低的ESR相比,较小尺寸的
等效材料和电容的电容
值。这些较大的设备可以提高电路的转录
相比于同等价值过性反应
电容器在更小的封装尺寸。
仔细咨询电容器供应商数据表
选择电容的LDO稳压器时。
监管机构将切换时, EN接通控制水平
必须大于2.0V 。该LDO稳压器
进入禁止关断模式时,电压
年龄对EN引脚低于0.6V 。如果使
函数中不需要一个特定的应用程序,它
可以连接到V
IN
保持LDO稳压器在
连续的状态。
当LDO稳压器在关断模式下,
内部1.5kΩ电阻之间连接
V
OUT
和GND 。这是为了排出Ç
OUT
当LDO稳压器被禁用。内部
1.5kΩ上对设备的开启时间没有不利的影响。
短路保护
该AAT3236包含一个内部短路亲
tection电路将触发时,输出负载
电流超过750毫安。下的短路条件
系统蒸发散,输出会被限制为750mA ,直到
LDO稳压器的封装功耗超过
该装置的热限制或直到短路
条件被移除。
热保护
该AAT3236有一个内部热保护税务局局长
CUIT这将打开时,该设备死亡temper-
ATURE超过150℃ 。内部热保护
化电路将积极关断LDO稳压器
输出传递装置,防止过度的可能性
冷害。 LDO稳压器的输出
仍将处于关机状态,直到内部芯片
温度降低到低于150 ℃的触发点。
短期之间的结合和相互作用
电路及热保护系统,使
LDO稳压器可承受无限期短路
条件而不遭受永久性损坏。
空载稳定性
该AAT3236是专为保持输出电压
在操作NO-岁调控和稳定
负载条件。这是一个重要的特性
的应用场合,输出电流可能下降
到零。
使能功能
该AAT3236提供一个LDO稳压器,启用/
禁用功能。该引脚( EN )为高电平有效,是
与CMOS逻辑兼容。为了保证LDO
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3236.2007.03.1.4