产品数据表
AAT3238
PowerLinear
TM
300毫安微
TM
高性能LDO线性稳压器
旁路电容和
低噪声应用
旁路电容引脚可增强低
在AAT3238 LDO稳压器的噪声特性。该
旁路电容器没有必要的操作
AAT3238 。然而，对于最佳的器件性能，一个小
陶瓷电容应放置在旁路之间
销（ BYP ）和器件的接地端子（GND ） 。的值
C
BYP
范围从470pF的至10nF 。对于最低噪声和
最佳的电源纹波抑制性能，
一个10nF电容应该被使用。为了切实实现
最高的电源纹波抑制和最低
输出噪声性能，重要的是，电容器
之间的BYP引脚与GND引脚的连接是直接的
和PCB走线应尽可能短。请参阅
本文档的PCB布局建议部分
换货的例子。
有旁路电容之间的关系的
值和LDO稳压器导通和关断时间。
在应用中快速的设备的开启和关断
时间是所希望的，将C的值
BYP
应减少。
在应用中的低噪声性能和/或
纹波抑制比是少了关注，该旁路电容
itor可以省略。最快的器件的导通时间
当没有旁路电容器被用来实现。
该引脚上的直流泄漏会影响LDO稳压器的输出
噪声和电压调节性能。为此原因，
使用低漏电，高品质的陶瓷（NPO法人或C0G
型）或薄膜电容器强烈推荐。
应用信息
为了保证得到最大可能的性能
从AAT3238 ，请参考下面的应用
化建议。
输入电容
通常情况下，一个1μF或更大的电容推荐
C
IN
在大多数应用中。 A C
IN
不需要电容
基本的LDO稳压器的操作。然而，如果
AAT3238物理上位于三个以上centime-
从输入电源，一个C TER值
IN
电容将
所需的稳定运行。 ç
IN
应位于
密切设备V
IN
引脚的实际可能。 ç
IN
值大于1μF将提供优越的输入线
瞬态响应，并协助最大化
尽可能高的电源纹波抑制比。
陶瓷电容，钽电容或铝电解电容器
可以选择对C
IN
。有没有具体的电容的ESR
对于C要求
IN
。然而，对于300毫安LDO稳压器
输出操作中，陶瓷电容器推荐
对于C
IN
由于其在钽固有的能力
电容承受的输入浪涌电流低
阻抗源，例如电池的便携式设备。
输出电容
对于适当的负载电压调节和操作stabil-
性，需要销V之间的电容器
OUT
和GND 。
了C
OUT
电容连接到LDO稳压器
接地引脚应直接作为实际POS-
sible为最大的器件性能。
该AAT3238是专门设计的功能
具有极低的ESR的陶瓷电容。为了获得最佳的perfor-
曼斯，建议使用陶瓷电容。
最大输出电流典型输出电容值
租条件的范围从1μF到10μF 。应用程序
利用非常低的输出噪声和最佳
的电源纹波抑制特性
AAT3238应使用2.2μF或更大的对C
OUT
。如果需要的话，
C
OUT
可以无限制地增加。
在低输出电流的应用场合输出负载
小于10mA ，对于C的最小值
OUT
可以是如
低0.47μF 。
电容特性
陶瓷电容器构成强烈推荐
对所有其它类型的电容器与使用
AAT3238 。陶瓷电容器具有许多优点
在他们的钽电容和铝电解反
件。陶瓷电容器通常具有非常低的ESR ，是
成本较低，具有更小的PCB占用面积，并且是不
两极化。线路和负载LDO的瞬态响应
调节器是通过使用低ESR的陶瓷电容改善
器。由于陶瓷电容无极性，他们
是不容易产生不正确的连接破坏。
等效串联电阻
ESR是当考虑一个非常重要的特性
选择的电容器。 ESR是内部串联电阻
用的电容器，其包括导线的电阻相关联，
内部连接，尺寸和面积，材料composi-
灰，和环境温度。通常情况下，电容的ESR
3238.2008.05.1.7
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