产品数据表
AAT3221/2
PowerLinear
TM
X7R ， X5R ， Z5U ， Y5V和介电材料。大
陶瓷电容器，通常大于2.2μF以上，往往
提供低成本Y5V和Z5U电介质。这两个
材料类型不建议用LDO使用
由于电容容差稳压器可能变化
比以上的工作温度范围内± 50％的
装置。一个2.2μF电容Y5V可以减少到1μF
在整个工作温度范围内。这可能会导致
问题的电路运行和稳定性。 X7R和X5R
电介质是更可取的。温度
X7R电介质的耐受性优于± 15 ％为佳。
电容方面是另一个贡献者ESR 。电容器
这是在尺寸体积较大将具有较低的ESR
时相比，等价的较小尺寸的电容器
借给材料和电容值。这些较大的devic-
西文还可以提高电路时的瞬态响应
相比于在一个较小的封装相同的电容值
年龄的大小。
当仔细咨询电容器供应商数据表
选择电容器用LDO稳压器的使用。
150毫安纳安级™ LDO线性稳压器
迅速增加。当稳压器的功耗
产能已超过和内部芯片温
perature达到约140℃时，系统热敏
MAL保护电路将被激活。内部
过热保护电路会积极关断LDO
调节器的输出传递器件，以防止可能
过热损坏。 LDO稳压器的输出会
仍然处于关机状态，直到内部芯片温
perature降至低于140 ℃的触发点。
短路和热之间的相互作用
保护系统允许LDO稳压器与 -
站立不定短路情况下不可持续
荷兰国际集团造成永久性损坏。
空载稳定性
该AAT3221 / 2的目的是维持输出电压
在操作空载条件调节和稳定
系统蒸发散。这是用于应用程序的一个重要特性
其中输出电流可能下降到零。输出
电容器是在空载运行所需的稳定性
条件。指的是输出电容的考虑
本文推荐的典型输出部分
把电容值。
使能功能
该AAT3221 / 2提供一个LDO稳压器允许/禁止
能功能。该引脚（ EN）与CMOS兼容
逻辑。高有效或低有效选项（见
订购信息） 。为逻辑高信号，将EN
控制电平必须大于2.4伏。逻辑低电平
信号被置位时，当EN引脚上的电压下降
下面0.6伏。例如，活性高版本
AAT3221 / 2转时，逻辑高被施加到上
EN引脚。如果使能功能，不需要经过一个特殊
cific应用，它可连接到各自的电压
水平保持LDO稳压器在连续上
状态;例如，主动高版本AAT3221 / 2将配合V
IN
为EN留在。
散热注意事项和高输出
目前的应用
该AAT3221 / 2旨在提供一个连续的输出
把为150mA的负载电流下正常工作CON-
ditions 。对于最大的极限特性
输出负载的安全工作区基本上是包
功耗和内部预设的温度限制
该设备。为了获得较高的工作电流，
细心的设备布局和电路的运行条件
需要被考虑在内。下面的讨论
将假定的LDO稳压器被安装在一个印刷
利用最小的电路板推荐足迹
打印和印刷电路板是0.062英寸厚的
FR4材料1盎司铜。
在任何给定的环境温度（T
A
），最大
封装功耗可以通过跟着确定
以下公式：
短路保护和热
保护
该AAT3221 / 2是由两个电流限制保护，
过热保护电路。内部短
电路的电流限制被设计为激活时
输出负荷需求超过了最大额定输出。
如果短路条件是不断地吸引更多的
超过限流阈值， LDO稳压器的输出
放的电压将下降到必要提供的一个水平
当前所要求的负荷。在短路或
其它过电流工作条件下，输出电压
年龄将下降和AAT3221 / 2模具温度将
P
D（最大）
=
T
J（下最大）
- T
A
θ
JA
常量为AAT3221 / 2为T
J（下最大）
时，最大
结温是125 ℃，该装置
Θ
JA
= 150 ° C / W ，封装热阻。通常情况下，
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3221.2007.11.1.12
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