AAT7157 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AAT7157
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内容描述：	20V P沟道功率MOSFET [20V P-Channel Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 135 K
品牌：	ANALOGICTECH [ ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES ]

20V P沟道功率MOSFET

概述

该AAT7157低门槛20V ，双P通道

MOSFET是诺™的一员

TrenchDMOS ™产品系列。使用超高

密度专有TrenchDMOS技术

AAT7157被设计用于作为一个负载开关

电池供电的应用和保护的BAT-

tery包。

AAT7157

特点

•

DS （ MAX）

= -20V

D（最大）

= -5.8A @ 25°C

低R

DS （ ON）

• 36毫欧@ V

= -4.5V

• 62毫欧@ V

= -2.5V

双SOP- 8L封装

应用

•

电池组

电池供电的便携式设备

顶视图

绝对最大额定值

符号

, T

英镑

= 25 ° C除非另有说明）

价值

-20

±12

±5.8

±4.6

±24

-1.5

2.0

1.25

-55到150

描述

漏源电压

栅源电压

连续漏电流@ T

=150°C

单位

= 25°C

= 70°C

漏电流脉冲

连续源电流（源极 - 漏极二极管）

最大功率耗散

= 25°C

= 70°C

°C

工作结存储温度范围

热特性

符号

θJA

θJA2

θJF

描述

典型的结到环境的稳态

最大结到环境t<10秒

典型的结到脚

价值

100

62.5

单位

° C / W

7157.2004.04.1.0

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