20V P沟道功率MOSFET
概述
该AAT7361是一个低阈值的双P通道
MOSFET的设计的电池，手机，和
PDA市场。采用AnalogicTech的超高
密度MOSFET工艺，节省空间，
小外形， J形引脚封装，性能superi-
或者，在一个更大的足迹通常发现有
被压缩成TSOPJW8的足迹
封装。
AAT7361
特点
•
•
•
漏源极电压（最大） ： -20V
连续漏电流
1
（最大值） -3.0A @ 25°C
低导通电阻：
- 为100mΩ @ V
GS
= -4.5V
- 175mΩ @ V
GS
= -2.5V
双TSOPJW - 8封装
顶视图
D1
8
D1
7
D2
6
D2
5
应用
•
•
•
电池组
电池供电的便携式设备
蜂窝和无绳电话
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
T
J
T
英镑
1
S1
2
G1
3
S2
4
G2
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
= 150°C
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
1
工作结温范围
存储温度范围
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
价值
-20
±12
±3.0
±2.4
±9
-1.0
-55到150
-55到150
单位
V
A
°C
°C
热特性
1
符号
R
θJA
R
θJA2
R
θJF
P
D
描述
结到环境的稳态，一个FET上
结至环境t<5秒
结到脚
T
A
= 25°C
最大功率耗散
T
A
= 70°C
典型值
124
74
66
1.4
0.9
最大
155
90
80
单位
° C / W
° C / W
° C / W
W
安装在1" X 1" PCB采用优化的布局1.根据结点到环境的同时散热。在5秒钟的脉搏
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。 ř
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
哪里
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。 ř
θJF
由设计;
然而，R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
7361.2005.04.1.0
1
ANALOGICTECH [ ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES ]
