AAT8107
20V P沟道功率MOSFET
概述
该AAT8107低门槛20V ， P沟道MOSFET导
FET是AnalogicTech的TrenchDMOS成员
产品系列。使用的超高密度propri-
etary TrenchDMOS技术， AAT8107是
设计用作在电池电源为电源的负载开关
ERED应用和保护电池组。
特点
•
•
•
TrenchDMOS
™
V
DS （ MAX）
= -20V
I
D（最大）
1
= -6.5A @ 25°C
低R
DS （ ON）
:
= 35mΩ @ V
GS
= -4.5V
- 的60mΩ @ V
GS
= -2.5V
应用
•
•
电池组
电池供电的便携式设备
SOP- 8L封装
顶视图
D
8
D
7
D
6
D
5
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1
S
2
S
3
S
4
G
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
=150°C
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
1
最大功率耗散
1
工作结存储温度范围
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
价值
-20
±12
±6.5
±5.2
±32
-1.7
2.5
1.6
-55到150
单位
V
A
W
°C
热特性
符号
R
θJA
R
θJA2
R
θJF
描述
典型的结到环境的稳态
1
最大结到环境t<10秒
1
典型的结到脚
1
价值
80
50
27
单位
° C / W
安装在1" X 1" PCB采用优化的布局1.根据结点到环境的同时散热。在10秒的脉冲
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。 ř
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。 ř
θJF
由设计;不过，
R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
8107.2005.05.1.1
1
ANALOGICTECH [ ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES ]
