AAT8543
20V P沟道功率MOSFET
概述
该AAT8543是一个低阈值P沟道MOSFET
专供电池，手机和PDA马歇尔
凯茨。采用AnalogicTech的超高密度的MOSFET导
FET工艺，节省空间，小外形， J形引脚
包，性能优于通常
在一个TSOP - 6的足迹发现已经挤进
一个SC70JW - 8封装的占位面积。
特点
•
•
•
漏源极电压（最大） ： -20V
连续漏电流
1
（最大） ：
-4.2A @ 25°C
低导通电阻：
= 57mΩ @ V
GS
= -4.5V
- 104MΩ @ V
GS
= -2.5V
应用
•
•
•
电池组
电池供电的便携式设备
蜂窝和无绳电话
SC70JW - 8封装
顶视图
D
8
D
7
D
6
D
5
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
T
J
T
英镑
1
S
2
S
3
S
4
G
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
= 150°C
1
漏电流脉冲
2
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
1
工作结温范围
存储温度范围
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
价值
-20
±12
±4.2
±3.3
±20
-1.2
-55到150
-55到150
单位
V
A
°C
°C
热特性
1
符号
R
θJA
R
θJA2
R
θJF
P
D
描述
典型的结到环境的稳态
最大结到环境t<5秒
典型的结到脚
T
A
= 25°C
最大功率耗散
T
A
= 70°C
典型值
100
62
35
最大
124
76
42
1.6
1.0
单位
° C / W
° C / W
° C / W
W
安装在1" X 1" PCB采用优化的布局1.根据结点到环境的同时散热。在5秒钟的脉搏
1" X 1" PCB接近测试安装在一个大型的多层印刷电路板在大多数应用中的设备。 ř
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，
脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。 ř
θJF
由设计; howev-
ER ，R
= CA
被PCB设计决定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS 。
8543.2005.04.1.0
1
ANALOGICTECH [ ADVANCED ANALOGIC TECHNOLOGIES ]
