AHK6030L
30V N沟道功率MOSFET
概述
利用
ANALOGIC
Tech的
国家的最先进的
â
TrenchDMOS过程中， AHK6030L设置一个
在电流处理能力的新标准，
效率为表面贴装功率MOSFET。
栅极电荷和R
DS （ ON）
都得到了优化和
封装电感最小化，以提供高
效率的DC- DC转换器。
特点
•=
•=
•=
•=
•=
PWMSwitch
TM
V
DS （ MAX）
= 30V
I
D（ MAX） （一）
= 44 A @ 25
°
C
I
APP （MAX）中
= 17A典型的计算机应用
低栅电荷
低R
DS （ ON）
:
13.5 m
Ω=
（最大） ， 9.5米
Ω=
（典型值） @V
GS
= 10V
20 m
Ω=
（最大） ， 14米
Ω=
（典型值） @V
GS
= 4.5V
应用
•=
的DC-DC转换器，用于CPU的
•=
高电流负载开关
DPAK - L封装
漏极连接选项卡
DPAK封装
初步信息
漏极连接选项卡
G
G
S
S
绝对最大额定值
(T
A
=25
°
C除非另有说明）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
=150
°
C
(a)
漏电流脉冲
(a)
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
(a)
最大功率耗散
(a)
工作结存储温度范围
T
A
= 25
°
C
T
A
= 70
°
C
价值
30
±
20
±
44
±
52
23
39
25
-55到150
单位
V
A
W
°
C
热阻
R
θJA
R
θJC
最大结点到环境
(a)
最大结到外壳
(a)
96
3.2
°
C / W
°
C / W
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6030L.2001.05.0.91
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