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AM12N65P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM12N65P
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内容描述: N沟道650 -V (D -S )的MOSFET [N-Channel 650-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 332 K
品牌: ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
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模拟电源
AM12N65P
N沟道650 -V (D -S )的MOSFET
主要特点:
•低R
DS ( ON)
沟槽技术
•低热阻
•开关速度快
典型应用:
•白光LED升压转换器
- 汽车系统
•工业DC / DC转换电路
产品概述
r
DS ( ON)
(mΩ)
V
DS
(V)
800 @ V
GS
= 10V
650
850 @ V
GS
= 6V
I
D
(A)
12
a
连接的
为制表
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
极限
V
DS
漏源电压
650
V
GS
栅源电压
±20
T
C
=25°C
I
D
12
连续漏电流
a
b
I
DM
漏电流脉冲
50
a
I
S
40
连续源电流(二极管传导)
T
C
=25°C
P
D
功耗
300
T
J
, T
英镑
-55至175
工作结存储温度范围
单位
V
A
A
W
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到外壳
符号最大
R
θJA
62.5
R
θJC
1
单位
° C / W
笔记
a.
基于最大允许结温计算的连续电流。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
初步=
1
出版订单号:
DS_AM12N65P_1A