AM2329P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AM2329P
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内容描述：	P沟道30V （D -S ）的MOSFET [P-Channel 30V (D-S) MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 139 K
品牌：	ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]

模拟电源

P沟道30V （D -S ）的MOSFET

这些微型表面贴装MOSFET的

利用高密度的过程。低R

DS （ ON）

保证最小的功率损耗并节省

能源，使得该器件非常适合用于

电源管理电路。典型

应用是电源开关，电源

管理在便携式及电池供电的

产品，如计算机，打印机， PCMCIA

卡，手机和无绳电话。

•

低R

DS （ ON）

提供了更高的效率和

延长电池寿命

低栅电荷

快速转换

小型SOT- 23表面贴装封装

节省电路板空间

AM2329P

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

0.112 @ V

= 10 V

-30

0.172 @ V

= 4.5V

(A)

2.5

2.0

绝对最大额定值（T

= 25°C除非另有说明）

符号最大单位

参数

-30

漏源电压

±20

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

=25 C

=70 C

2.5

1.7

±12

1.25

1.3

0.8

连续源电流（二极管传导）

功耗

=25 C

=70 C

工作结存储温度范围

, T

英镑

-55到150

热电阻额定值

参数

最大结点到环境

符号最大单位

thJA

100

166

吨< = 5秒

稳态

C / W

笔记

表面装在1 “×1” FR4板。

脉冲宽度有限的最高结温

2004年4月 - 版本A

初步

出版订单号：

DS-AM2329_B

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