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型号: AM2342NE
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内容描述: N通道40 -V (D -S )的MOSFET [N-Channel 40-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 179 K
品牌: ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
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模拟电源
N通道40 -V (D -S )的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳
电话。
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
SOT- 23节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AM2342NE
DUCT总和
M RY
V (V
)
r
DS ( ON)
m
(Ω)
DS
86 @ V
S
= 10V
G
40
128 @ V
S
= 4.5V
G
SOT-23
顶视图
G
D
S
G
I
D
(A
)
5.2
3.7
D
ESD保护
2000V
o
S
N沟道
MOSFET
绝对最大额定值(T
A
= 25°C除非另有说明)
符号
极限
单位
参数
40
漏源电压
V
DS
V
V
GS
±20
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
b
a
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
5.2
4.1
30
1.6
1.3
0.8
-55到150
A
W
o
A
连续源电流(二极管传导)
功耗
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
P
D
T
J
, T
英镑
工作结存储温度范围
C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
符号
吨< = 5秒
R
θJA
最大
100
166
单位
o
o
稳态
C / W
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号:
DS-AM2342NE_A