欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AM30N02-59D 参数 Datasheet PDF下载

AM30N02-59D图片预览
型号: AM30N02-59D
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N通道20 -V (D -S )的MOSFET [N-Channel 20-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 144 K
品牌: ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
 浏览型号AM30N02-59D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AM30N02-59D的Datasheet PDF文件第3页  
模拟电源
N通道20 -V (D -S )的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用
高细胞密度的过程。低R
DS ( ON)
保证
最小的功率损耗并节省能源,使
该器件非常适用于电源管理应用
电路。典型的应用是PWMDC直流
转换器,电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机,充电器,通信电源
系统和电话电源系统。
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
小型TO- 252表面贴装封装
节省电路板空间
高功率和电流处理能力
低压侧大电流DC- DC转换器
应用
AM30N02-59D
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
m(Ω)
59 @ V
GS
= 4.5V
20
88 @ V
GS
= 2.5V
I
D
(A)
24
20
绝对最大额定值(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
符号
极限
单位
参数
V
DS
20
漏源电压
V
V
GS
±12
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
a
b
a
a
o
T
C
= 25 C I
D
24
40
30
50
I
DM
I
S
o
T
C
= 25℃ P
D
A
A
W
o
连续源电流(二极管传导)
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
-55至175
C
热电阻额定值
参数
符号
最大结点到环境
a
最大结到外壳
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
最大
50
3.0
单位
o
R
θJA
R
θJC
C / W
o
C / W
1
2003年11月 - 修订版A
初步
出版订单号:
DS-AM30N02-59_C