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AM30N10-70DE 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM30N10-70DE
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内容描述: N沟道100 -V (D -S )的MOSFET [N-Channel 100-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 146 K
品牌: ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
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模拟电源
N沟道100 -V (D -S )的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳
电话。
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
DPAK节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
ESD保护
2000V
AM30N10-70DE
DUCT总和
M RY
V (V
)
r
DS ( ON)
m )
(
DS
78 @ V
S
= 10V
G
100
92 @ V
S
= 4.5V
G
I
D
(A
)
21
20
绝对最大
IMUM评级(T
A
= 25℃ ,除非OTHERW
S
ISE说明)
PARAM
ETER
符号
BOL
LIM
其单位
V
DS
漏源电压
100
V
G
吃源电压
V
GS
±20
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
a
b
a
a
o
T
C
= 25 C I
D
o
20
36
30
50
I
DM
I
S
o
T
C
= 25℃ P
D
A
A
W
o
连续源电流(二极管传导)
工作结储存温度
温度范围内
T
J
, T
英镑
-55至175
C
热电阻额定值
参数
符号
最大结点到环境
最大结到外壳
a
最大
50
3.0
单位
o
R
θJA
R
θJC
C / W
o
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号:
DS-AM30N10-70DE_B