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AM3836N 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM3836N
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内容描述: N通道30 -V ( D- S)的MOSFET与肖特基二极管 [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 3 页 / 170 K
品牌: ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
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模拟电源
N通道30 -V ( D- S)的MOSFET与肖特基二极管
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳
电话。
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
TSOP - 6可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AM3836N
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
m(Ω)
63 @ V
GS
= 4.5V
30
110 @ V
GS
= 2.5V
I
D
(A)
3.5
3.0
肖特基产品概要
V
f
(V)
V
KA
(V)
I
F
(A)
二极管的正向电压
30
0.48V @ 1.0A
1.0
TSOP-6
顶视图
A
S
G
1
2
3
6
5
4
K
G
N / C
D
S
N沟道MOSFET
D
K
A
绝对最大额定值(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
参数
符号
极限
V
DS
30
漏源极电压( MOSFET )
30
反向电压(肖特基)
V
KA
±12
栅源电压( MOSFET )
V
GS
连续漏电流(T
J
= 150℃ ) ( MOSFET )
漏电流脉冲( MOSFET )
b
连续源电流( MOSFET二极管的导通)
平均正向电流(肖特基)
脉冲正向电流(肖特基)
最大功率耗散( MOSFET )
最大功率耗散(肖特基)
a
工作结存储温度范围
a
a
o
a
单位
V
T
A
=25
o
C
T
A
=70
o
C
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
± 3.5
± 2.8
± 16
1.25
0.5
8
1.3
0.8
1.0
0.6
W
A
T
A
=25
o
C
T
A
=70
o
C
T
A
=25
o
C
T
A
=70
o
C
P
D
T
J
, T
英镑
-55到150
o
C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
符号
R
θJA
最大
100
166
单位
o
吨< = 10秒
稳态
C / W
o
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号:
DS-AM3836_A