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型号: AM3962NE
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内容描述: N通道60 -V (D -S )的MOSFET [N-Channel 60-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 209 K
品牌: ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
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模拟电源
N通道60 -V (D -S )的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET的
利用高密度沟槽工艺
提供低R
DS ( ON)
并且,以确保最小的
功率损耗和散热。典型
应用的DC- DC转换器和
功率管理在便携式和
电池供电的产品如
计算机,打印机,PCMCIA卡,
蜂窝和无绳电话。
AM3962NE
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
(Ω)
0.153 @ V
GS
= 10V
60
0.185 @ V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
2.3
2.1
D
2
G
2
TSOP-6
顶视图
G1
S2
G2
1
2
3
6
5
4
D1
S1
D2
G
1
D
1
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
TSOP - 6可节省电路板空间
开关速度快
ESD保护
高性能沟道技术
2000V
S
1
N沟道
MOSFET
S
2
N沟道
MOSFET
绝对最大额定值(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
b
连续源电流(二极管传导)
a
功耗
a
a
符号
V
DS
V
GS
T
A
=25
o
C
T
A
=70
o
C
I
D
I
DM
I
S
o
极限
60
±20
2.3
1.9
8
1.05
1.15
0.7
单位
V
A
A
W
o
T
A
=25
o
C
T
A
=70 C
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
-55到150
最大
100
166
C
单位
o
吨< = 10秒
稳态
C / W
o
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号:
DS-AM3962NE_A