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AM40P20-150PCFM 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM40P20-150PCFM
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内容描述: P沟道200 -V (D -S )的MOSFET [P-Channel 200-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 57 K
品牌: ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
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模拟电源
P沟道200 -V (D -S )的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机和无绳电话。
AM40P20-150PCFM
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
m( )
150 @ V
GS
= -10V
-200
280 @ V
GS
= -5.5V
I
D
(A)
37
27
TO-220CFM
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
TO- 220CFM节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
S
G
D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值(T
A
= 25°C除非另有说明)
帕拉梅之三
符号最大单位
漏源电压
V
DS
-40
V
栅源电压
V
GS
±20
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
a
b
a
a
o
T
A
= 25 C I
D
o
37
±100
-30
300
I
DM
I
S
o
T
A
= 25℃ P
D
A
A
W
o
连续源电流(二极管传导)
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
-55至175
C
热电阻额定值
参数
符号
最大结点到环境
最大结到外壳
a
最大
50
3.0
单位
o
R
θJA
R
θJC
C / W
o
C / W
笔记
a.
包装有限公司
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号:
DS-AM40P20-150PCFM_A