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AM4512CE 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM4512CE
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内容描述: P& N通道30 -V (D -S )的MOSFET [P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 266 K
品牌: ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
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模拟电源
P & N通道30 -V (D -S )的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳
电话。
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
SOIC - 8可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
ESD
AM4512CE
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
m(Ω)
30
-30
40 @ V
GS
= 4.5V
31 @ V
GS
= 10V
80 @ V
GS
= -4.5V
52 @ V
GS
= -10V
SOIC-8
顶视图
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
1
N沟道MOSFET
D
1
I
D
(A)
6.0
6.9
-4.2
-5.2
S
2
G
2
D
2
P沟道MOSFET
保护
2000V
o
绝对最大额定值(T
A
= 25°C除非另有说明)
符号N沟道P沟道单位
参数
30
-30
漏源电压
V
DS
V
V
GS
±20
±20
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
b
a
o
o
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
6.9
5.4
20
1.3
2.1
1.3
-5.2
-6.8
-20
-1.3
2.1
1.3
A
W
o
A
连续源电流(二极管传导)
功耗
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
工作结存储温度范围
-55到150
C
热电阻额定值
参数
最大结到外壳
a
最大结点到环境
a
吨< = 5秒
吨< = 5秒
符号
R
θJC
R
θJA
最大
40
60
单位
o
o
C / W
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号:
DS-AM4512CE_A