模拟电源
AM4830NS
典型电气特性（ N沟道）
ID ，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
6.0V
4.0V
40
30
20
RDS （ ON ） ，归一化
漏源导通电阻
50
2
1.7
1.4
1.1
0.8
0.5
0
10
20
30
40
50
4.5V
6.0V
10V
3.0V
10
0
0
0.5
1
1.5
2
VDS ，漏极 - 源极电压（ V）
ID ，漏电流（ A）
图1.区域特征
1.6
图2.导通电阻与漏电流
1.4
V
GS
= 10V
I
D
= 10A
0.05
I
D
= 10A
归一化R（上）
DS
1.2
RDS （ ON ） ，导通电阻
（ OHM ）
0.04
0.03
0.02
1.0
0 .8
T
A
= 25 C
0.01
0
2
4
6
8
10
o
0 .6
-50
-2 5
0
25
50
75
10 0
12 5
150
T
J
Juncat离子牛逼emperature （ C）
VGS ，门源电压（ V）
图3.导通电阻随温度的变化
图4.导通电阻变化与
栅极至源极电压
60
V
D
=5V
50
-55C
正，反转漏电流（ A）
100
V
GS
= 0V
10
I
D
漏电流（ A）
25C
40
30
125C
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
GA TE为S 0 URC ê武LTA GE （ V）
1
T
A
= 125 C
o
0.1
25 C
o
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
室间隔缺损，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
3
初步
出版订单号：
DS-AM4830NS_E
ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
