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型号: AM4998N
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内容描述: N通道30 -V (D -S )的MOSFET [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 199 K
品牌: ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
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模拟电源
N通道30 -V (D -S )的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳
电话。
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
SOIC - 8可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AM4998N
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
m(Ω)
32 @ V
GS
= 4.5V
30
40 @ V
GS
= 2.5V
1
2
3
4
I
D
(A)
6.5
5.8
8
7
6
5
绝对最大额定值(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
参数
符号
极限
V
DS
30
漏源电压
±12
V
GS
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
b
连续源电流(二极管传导)
a
功耗
a
a
单位
V
T
A
=25
o
C
T
A
=70
o
C
I
D
I
DM
I
S
6.5
±5.3
±50
2.3
2.0
1.3
-55到150
A
W
o
A
T
A
=25
o
C
T
A
=70 C
o
P
D
T
J
, T
英镑
工作结存储温度范围
C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
符号
R
θJA
最大
62.5
110
单位
o
o
吨< = 10秒
稳态
C / W
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号:
DS-AM4998_D