AM50N10-18D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AM50N10-18D
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内容描述：	N沟道100 -V （D -S ）的MOSFET [N-Channel 100-V (D-S) MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 336 K
品牌：	ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]

模拟电源

典型电气特性

VGS栅 - 源极电压（ V）

100

QG - 总栅极电荷（ NC）

0.5

-50

-25

= 50V

= 20A

2.5

RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）

（归一化）

AM50N10-18D

1.5

100

125

150

TJ -JunctionTemperature （ ° C）

7.栅极电荷

1000

10我们

100美

1毫秒

8.归一化导通电阻VS

结温

450

瞬态峰值功率（ W）

400

350

300

250

200

150

100

0.001

0.01

0.1

100

1000

100

ID电流（A ）

10毫秒

100毫秒

1秒

10秒

100秒

0.1

100

1000

IDM限制

受

RDS

0.01

VDS漏极至源极电压（ V）

T1时间（秒）

9.安全工作区

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

10.单脉冲最大功率耗散

θJA

（吨） = R（T） + R

θJA

= 40

°C

P（ PK）

- T

= P * R

θJA

(t)

占空比D = T

/ t

0.01

0.1

T1时间（秒）

100

1000

0.001

0.0001

0.001

11.归热瞬态结到环境

初步=

出版订单号：

DS_AM50N10-18D_1A

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