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型号: AM5829P
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内容描述: P通道20 - V(D -S)的MOSFET利用肖特基二极管 [P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 5 页 / 261 K
品牌: ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
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模拟电源
P通道20 - V(D -S)的MOSFET利用肖特基二极管
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳
电话。
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
CF1206-8节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AM5829P
M SF T P上
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RO
杜牛逼SU M RY
C
M A
V
S
(V
)
r
秒(上)
(O M
H )
I
D
(A
)
D
D
±3.6
0.110 @ V
S
= -4.5V
G
-20
±3.0
0.160 @ V
S
= -2.5V
G
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20
0.48V @ 1.0A
1.0
CF1206-8
顶视图
S
K
A
A
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K
K
D
D
G
D
P沟道MOSFET
A
ISE说明)
A
BSOLUTE MA
XIMUM RA
Tings的(T
A
= 25℃ ,除非OTHERW
符号
BOL马克西姆
嗯单位
PARAM
ETER
V
DS
-20
漏源极电压(M
OSFET )
V
反向电压(肖特基)
20
V
KA
G
吃源电压(M
OSFET )
±8
V
GS
连续漏电流(T
J
= 150℃ ) (M
OSFET )
漏电流脉冲(M
OSFET )
b
a
o
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o
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
±2.5
±1.9
±10
-1.6
0.5
8
2.1
1.1
1.3
0.68
A
连续源电流(M
OSFET二极管的导通)
平均正向电流(肖特基)
脉冲正向电流(肖特基)
M
的Axim功耗(M
um
OSFET )
M
的Axim功率耗散(肖特基)
um
a
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
T
A
=25 C
T
A
=70 C
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o
o
o
P
D
W
工作结储存温度
温度范围内
T
J
, T
英镑
-55到150
o
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符号
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R
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T
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50
90
最大
60
110
o
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
吨< = 5秒
稳定状态
C / W
出版订单号:
DS-AM5829_A