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AM7530C 参数 Datasheet PDF下载

AM7530C图片预览
型号: AM7530C
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内容描述: P& N通道30 -V (D -S )的MOSFET [P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 109 K
品牌: ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
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模拟电源
AM7530C
规格(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
漏源导通电阻
A
转发Tranconductance
A
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
g
fs
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250微安
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250微安
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
= -5 V, V
GS
= -10 V
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 1 A
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 1 A
V
GS
= -4.5 V,I
D
= -1 A
V
GS
= -2.5 V,I
D
= -1 A
V
DS
= 15 V,I
D
= 1 A
V
DS
= -15 V,I
D
= -1 A
N
P
N
P
P
N
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N-二Chaneel
V
DD
=15V, V
GS
= 5V ,我
D
=1A ,
R
=25 ,
P沟道
V
DD
=-15V, V
GS
= -5V ,我
D
=-1A
R
=15
40
31
6
7
1
1
1
2
9
6
15
13
40
20
10
10
0.3
-0.3
±100
±100
-1
1
20
-20
58
82
112
172
V
o
符号
测试条件
Ch
范围
最小值典型值
最大单位
nA
uA
A
m
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
N沟道
V
DS
=15V, V
GS
= 4.5V ,我
D
=1A
P沟道
V
DS
=-15V, V
GS
= -4.5V ,我
D
=-1A
nC
N
P
N
P
N
P
N
P
nS
笔记
a.
脉冲测试: PW < = 300US占空比< = 2 % 。
b.
通过设计保证,不受生产测试。
模拟电源
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2
初步
出版订单号:
DS-AM7530_A