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AM7920N 参数 Datasheet PDF下载

AM7920N图片预览
型号: AM7920N
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内容描述: 双N通道20 -V (D -S )的MOSFET [Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 112 K
品牌: ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
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模拟电源
双N通道20 -V (D -S )的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳
电话。
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
SOIC - 8PP节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AM7920N
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
m( )
20
SOIC-8PP
顶视图
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
I
D
(A)
33
29
D1
10 @ V
GS
= 4.5V
13 @ V
GS
= 2.5V
D1
G
1
G
1
S
1
S
1
N沟道MOSFET N沟道MOSFET
绝对最大额定值(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
Paramete ř
符号限制
单位
漏源电压
V
DS
20
V
V
GS
栅源电压
8
连续漏电流
漏电流脉冲
b
a
o
o
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
33
27
±50
13
16
10
-55到150
o
A
A
W
C
连续源电流(二极管传导)
功耗
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
符号
吨< = 10秒
稳定状态
R
θJA
R
θJC
最大
35
8
单位
o
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号:
DS-AM7920_A