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AM90N10-14P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM90N10-14P
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内容描述: N沟道100 -V (D -S )的MOSFET [N-Channel 100-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 58 K
品牌: ANALOGPOWER [ ANALOG POWER ]
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模拟电源
N沟道100 -V (D -S )的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳
电话。
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
TO- 220可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
AM90N10-14P
产品概述
V
DS
(V)
r
DS ( ON)
m( )
16 @ V
GS
= 10V
100
19 @ V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
90
a
D
1
G
1
S
1
N沟道MOSFET
绝对最大额定值(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
符号
极限
单位
V
DS
漏源电压
100
V
栅源电压
V
GS
±20
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
a
b
a
a
o
T
C
= 25 C I
D
o
90
240
90
300
I
DM
I
S
o
T
C
= 25℃ P
D
A
A
W
o
连续源电流(二极管传导)
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
-55至175
C
T E
ħ RMA RESIST NC RA
L
A E寿
S
PARAM
ETER
符号
BOL
M
的Axim结至上午
um
关环境
M
的Axim结到外壳
um
a
马克西姆米ü
u
尼特
62.5
0.5
o
R
θJA
R
θJC
C / W
o
C / W
笔记
a.
包装有限公司
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
初步
出版订单号:
DS-AM90N10-14_D