模型1M803S
版本C
微杏儿
3dB电桥耦合器
描述
该1M803S微Xinger®是低调，微型3dB混合耦合器
一个易于使用的表面贴装封装设计的U-NII ， ISM和
hyperLAN应用。该1M803S是专为平衡放大器
和信号分配和为不断增加的一个理想的解决方案
无线行业的较小的印刷电路板和高要求
性能。部分已经经过了严格的资格测试
和单位都经过100％测试。他们使用的材料，其中x制
和y的热膨胀系数与普通基板兼容
如FR4和G- 10 。生产6 6符合RoHS的锡
浸泡。
电气特性**
产品特点：
•
5.0 - 6.0 GHz的
•
损耗非常低
•
高隔离度
•
90°正交
•
•
•
•
•
表面贴装
磁带和卷轴
新微封装
100％测试
无铅
频率
GHz的
隔离
分贝分钟
插入
损失
最大分贝
VSWR
马克斯： 1
5.0 – 6.0
振幅
平衡
最大分贝
20
相
平衡
度
0.25
动力
大道CW
瓦
1.21
θJC
° C /瓦
操作
温度。
ºC
± 0.30
±3
20
78.1
-55到+85
**规格基础上，单元性能的正确安装在微带印刷电路
电路板50
Ω
标称阻抗。规格如有变更，恕不另行通知。
机械概要
.065
±.007
[1.66
±0.18
]
销1
.400
±.010
[10.16
±0.25
]
销2
GND
.200
±.010
[5.08
±0.25
]
4X .048
±.00
[1.22
±0.
.104
±.004
[2.64
±0.10
]
表示
序列号
.304
±.004
[7.72
±0.10
]
4X .024
±.004
[0.61
±0.10
]
引脚4
GND
3脚
外形尺寸为英寸[毫米]
1M803S机械大纲
公差非累积
可在磁带
和卷轴于拾
将制造。
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