模型X2AS
SMT交叉
描述
REV 。一
该X2AS是低轮廓交叉相交的RF和DC电路迹
在一个易于使用的表面贴装型封装设计用于频率高达6
千兆赫。该X2AS适合任何应用程序，其中的射频电路必须
相交的直流电路不诉诸多层PCB 。配件有
经过严格的资格测试和单位都经过100％测试。
他们使用的材料，其中x和y的热膨胀。制造
系数与普通基材如FR4， G-10 ，和兼容
聚酰亚胺。
产品特点：
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•
电气特性**
频率
GHz的
端口阻抗
欧
回波损耗
分贝分钟
DC - 6.0 GHz的
射频 - 直流交叉
低损耗
DC隔离
表面贴装
磁带和卷轴
方便的软件包
无铅
100％测试
DC - 2.5
2.5 – 4.0
4.0 – 6.0
插入损耗
最大分贝
50
50
50
动力
瓦
20
20
15
Θ
JC
° C /瓦
操作
温度。
ºC
0.05
0.10
0.15
30
15
10
250.9
250.9
250.9
-55到+85
-55到+85
-55到+85
外形绘图
**规格的基础上正确地安装在微带印刷电路板的机组性能
50
Ω
标称阻抗。规格如有变更，恕不另行通知。
顶视图（近边）
.200
±.010
[5.08
±0.25
]
GND
RF
输入/输出
GND
.047
±.005
[1.19
±0.13
]
SIDE VIEW
底部视图（远端）
2X .026
±.004
[0.65
±0.10
]
GND
2X .056
±.004
[1.42
±0.10
]
RF
输入/输出
GND
GND
4X .033
±.008
SQ
[0.83
±0.20
]
GND
.200
±.010
[5.08
±0.25
]
RF
输入/输出
RF
输入/输出
.039
±.004
[1.00
±0.10
]
外形尺寸为英寸[毫米]
X2AS机械大纲
可在磁带
和卷轴于拾
将制造。
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:
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