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    VDD18SCTA 参数 Datasheet PDF下载

    VDD18SCTA图片预览
    型号： VDD18SCTA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低电压，低功耗， 1 ％的高检测精度的CMOS电压检测器与延时电路 [Low voltage, Low power, 1% High detect accuracy CMOS Voltage Detector with Delay circuit]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 20 页 / 1320 K
    品牌： ANASEM [ AnaSem Hong Kong Limited ]
     浏览型号VDD18SCTA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号VDD18SCTA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号VDD18SCTA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号VDD18SCTA的Datasheet PDF文件第6页浏览型号VDD18SCTA的Datasheet PDF文件第8页浏览型号VDD18SCTA的Datasheet PDF文件第9页浏览型号VDD18SCTA的Datasheet PDF文件第10页浏览型号VDD18SCTA的Datasheet PDF文件第11页  
    低电压，低功耗，± 1 ％的高检测精度，延时电路CMOS电压检测器
    牧师E13-01
    VDD系列
    操作描述
    常规操作（ CMOS输出）
    在参照以下的CMOS输出VDD系列的框图。
    V
    IN
    +
    电压
    参考
    _
    延迟
    电路
    P沟道
    V
    OUT
    N沟道
    VSS
    A.
    当输入电压（V
    IN
    ）低于释放电压较高（Ⅴ
    REL
    ），输入电压（V
    IN
    ）是
    在输出端提供的，因为N沟道晶体管截止和P沟道晶体管导通。而且，
    输出保持输入的相同的水平，只要输入电压保持高于检测
    电压（V
    DET
    ).
    B.
    当输入电压（V
    IN
    ）低于
    检测电压（V
    DET
    ） ， N沟道晶体管
    为ON，且在P沟道晶体管截止。而且，
    输出电压（V
    OUT
    ）是一样的地
    电平（V
    SS
    ).
    C.
    当输入电压（V
    IN
    ）低于
    分钟。工作电压，输出变为
    不稳定，或者进入V
    IN
    当输出
    上拉至V
    IN
    .
    D.
    当输入电压（V
    IN
    ）上升超过
    最小电压，接地电压（V
    SS
    )
    电平被保持，即使输入
    电压（V
    IN
    ）上升到高于该检测
    电压（V
    DET
    ），只要它不超过
    释放电压（V
    REL
    ）的水平。
    E.
    下面的延迟时间，所述N沟道晶体管
    变为OFF时的输入电压（V
    IN
    )
    上升到高于释放电压（V
    REL
    ） ，以及
    的P通道晶体管变为ON 。并且，在
    输出电压（V
    OUT
    ）等于输入
    电压（V
    IN
    ） 。 V之间的这种差异
    DET
    和V
    REL
    为迟滞范围（V
    HYS
    ).
    [时序图]
    输入电压（V
    IN
    )
    释放电压（V
    REL
    )
    检测电压（V
    DET
    )
    分钟。工作电压
    电源接地（V
    SS
    )
    输出电压（V
    OUT
    )
    释放电压（V
    REL
    )
    检测电压（V
    DET
    )
    迟滞范围（V
    HYS
    )
    延迟时间（t
    DLY
    )
    分钟。工作电压
    电源接地（V
    SS
    )
    A B
    C
    D E
    AnaSem
    6
    www.anasemi.com
    sales@anasemi.com
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