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型号: VDD60LNTA
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内容描述: 低电压,低功耗, 1 %的高检测精度的CMOS电压检测器与延时电路 [Low voltage, Low power, 1% High detect accuracy CMOS Voltage Detector with Delay circuit]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 1320 K
品牌: ANASEM [ AnaSem Hong Kong Limited ]
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低电压,低功耗,± 1 %的高检测精度,延时电路CMOS电压检测器
牧师E13-01
VDD系列
典型特征
- N沟道驱动器输出电流与输入电压
VDD181SCTA ( CMOS 1.8V )
V
DS
=0.5V, V
IN
=0~V
REL
步骤= 0.2V
12.0
输出电流:我
OUT
(MA )
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
输入电压: V
IN
(V)
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
VDD251SCTA ( CMOS 2.5V )
V
DS
=0.5V, V
IN
=0~V
REL
步骤= 0.2V
12.0
10.0
输出电流:我
OUT
(MA )
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
输入电压: V
IN
(V)
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
VDD351SCTA ( CMOS 3.5V )
V
DS
=0.5V, V
IN
=0~V
REL
步骤= 0.2V
14.0
输出电流:我
OUT
(MA )
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
输入电压: V
IN
(V)
VDD451SCTA ( CMOS 4.5V )
V
DS
=0.5V, V
IN
=0~V
REL
步骤= 0.2V
14.0
输出电流:我
OUT
(MA )
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
输入电压: V
IN
(V)
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
AnaSem
12
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