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APM2506N 参数 Datasheet PDF下载

APM2506N图片预览
型号: APM2506N
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 183 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2506NU
Typical Characteristics
Power Dissipation
60
70
60
Drain Current
50
I
D
- Drain Current (A)
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
P
tot
- Power (W)
50
40
30
20
10
0
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
T
j
- Junction Temperature (°C)
T
j
- Junction Temperature (°C)
Safe Operation Area
300
Thermal Transient Impedance
1
100
Normalized Effective Transient
Duty = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
I
D
- Drain Current (A)
100
µ
s
300
µ
s
10
1ms
10ms
DC
1
0.1
0.1
T
C
=25 C
O
1
10
70
1E-3
1E-4
Mounted on 1in pad
o
R
θ
JA
:50 C/W
2
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- Drain-Source Voltage (V)
Square Wave Pulse Duration (sec)
Copyright©ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.1 - Oct., 2003
4
www.anpec.com.tw