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APL3206QBI-TRG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: APL3206QBI-TRG
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内容描述: Li +电池充电器保护IC,集成P-MOSFET [Li+ Charger Protection IC with Integrated P-MOSFET]
分类和应用: 电池
文件页数/大小: 19 页 / 314 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APL3206/A
Li +电池充电器保护IC,集成P-MOSFET
特点
输入过电压保护
输入过电流保护
电池过电压保护
高免疫误触发的
高精度保护阈值
内置P-MOSFET
热关断保护
符合IEC61000-4-2 (4级)
具有±8kV (接触放电)
具有±15kV (空气放电)
概述
该APL3206 / A提供了完整的Li +电池充电器保护
针对输入过压,输入过电流和电池
过电压。当任何被监控参数是
超过阈值时,IC将删除的功率
通过关闭内部开关的充电系统。所有亲
tections也有对错误触发抗尖峰脉冲时间
由于电压尖峰或瞬态电流。
该APL3206 / A集成了一个P-MOSFET的体二
颂反向保护,以取代外部P -MOSFET
和肖特基二极管的手机充电功能“
s
PMIC 。当CHRIN电压降到低于V
BAT
+20mV,
内部电源选择电路将扭转身体
二极管'末端,以防止反向电流流过,从
s
电池回CHRIN引脚。
该APL3206 / A提供了完整的Li +电池充电器保护
tions和节省外部MOSFET和肖特基二极管
对于手机“ PMIC充电器。上述特征
s
和小封装使APL3206 / A为一个理想的一部分
手机应用程序。
可在一个TDFN2x2-8和TSOT- 23-6A
套餐
无铅和绿色设备可用
(符合RoHS )
应用
手机
引脚配置
ACIN 1
8 OUT
7 OUT
EP
6 CHRIN
5 GATDRV
TDFN2x2-8
( TOP VIEW )
EP
PMIC
GATDRV
ISENS
简化应用电路
5V适配器或USB
ACIN
CHRIN
CHRIN
ACIN 2
GND 3
VBAT 4
APL3206/A
GATDRV
OUT
=裸焊盘(接地
平面更利于散热)
出1
GND
VBAT
李+
电池
VBAT
6 VIN
5 GND
4 VBAT
TSOT-23-6A
( TOP VIEW )
CHRIN 2
GATDRV 3
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知的权利,
建议客户获得​​相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
©
茂达电子股份有限公司
A.3牧师 - 七月2009
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www.anpec.com.tw