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APM1403SC-TRL 参数 Datasheet PDF下载

APM1403SC-TRL图片预览
型号: APM1403SC-TRL
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 110 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM1403S
物理规格
终端物料
铅焊
镀锡铜(焊接材料: 90/10或63/37锡铅) , 100 %锡
满足EIA规格RSI86-91 , ANSI / J- STD- 002类别3 。
再溢流条件
T
P
(IR /对流或VPR回流)
tp
Ç ritical区
T
L
给T
P
ř上午对了
率T e米P·Eラ恩重
T
L
牛逼SM AX
t
L
牛逼的SM
ř上午对倒
ts
预热
25
t 25
°
C到峰值
牛逼IM ê
Classificatin回流曲线
廓特征
的Sn -Pb共晶组件
庞大的身躯
小身材
无铅封装
庞大的身躯
小身材
3 ° C /秒。
150°C
200°C
60-180秒
3 ° C /秒
217°C
60-150秒
245 +0/-5°C
250 +0/-5°C
10-30秒
20-40秒
平均升温速率
3 ° C /秒。
(T
L
给T
P
)
预热
-
最低温度(Tsmin )
100°C
-
混合温度(在Tsmax )
150°C
-
时间( min至max ) (TS)
60-120秒
在Tsmax至T
L
- 升温速率
在Tsmax至T
L
-
温度(T
L
)
183°C
-
时间(t
L
)
60-150秒
峰值温度(Tp )
225 +0/-5°C
240 +0/-5°C
在5 ℃,实际峰值的时间
10-30秒
10-30秒
温度(Tp )
下降斜率
6 ° C /秒。
6分钟最多。
时间25 ° C到峰值温度
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 三月, 2005
8
6 ° C /秒。
最多8分钟。
www.anpec.com.tw
注:所有温度是指在封装的顶侧。测量在身体表面上。