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APM2023N 参数 Datasheet PDF下载

APM2023N图片预览
型号: APM2023N
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 126 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2023N
N沟道增强型MOSFET
特点
20V / 12.8A ,R
DS ( ON)
= 20MΩ (典型值) @ V
GS
=4.5V
R
DS ( ON)
= 29mΩ (典型值) @ V
GS
=2.5V
对于极超级高密度电池设计
低R
DS ( ON)
可靠,坚固耐用
TO- 252封装
引脚说明
1
2
3
G
D
S
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统。
顶视图TO- 252
D
G
订购和标识信息
APM2023N
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
S
N沟道MOSFET
封装代码
U: TO- 252
工作结点温度。范围
C: -55 〜150
°
C
处理代码
TR :带卷&
APM2023N U:
APM2023N
XXXXX
XXXXX - 日期代码
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
等级
20
±12
12.8
50
A
V
单位
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
*表面装在FR4板,T
10秒。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得​​相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师A.1 - 12月2002年
1
www.anpec.com.tw