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    APM2030 参数 Datasheet PDF下载

    APM2030图片预览
    型号： APM2030
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 142 K
    品牌： ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
     浏览型号APM2030的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APM2030的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APM2030的Datasheet PDF文件第4页浏览型号APM2030的Datasheet PDF文件第5页浏览型号APM2030的Datasheet PDF文件第6页浏览型号APM2030的Datasheet PDF文件第7页浏览型号APM2030的Datasheet PDF文件第8页浏览型号APM2030的Datasheet PDF文件第9页  
    APM2030N
    N沟道增强型MOSFET
    特点
    •
    •
    •
    •
    20V / 6A ，R
    DS （ ON）
    = 35mΩ （典型值） @ V
    GS
    =4.5V
    R
    DS （ ON）
    = 38mΩ （典型值） @ V
    GS
    =2.5V
    对于极超级高密度电池设计
    低R
    DS （ ON）
    可靠，坚固耐用
    TO- 252封装
    引脚说明
    1
    2
    3
    G
    D
    S
    应用
    •
    在计算机电源管理，便携式
    设备和电池供电系统。
    顶视图TO- 252
    订购和标识信息
    APM2030N
    处理代码
    TEMP 。 RANGE
    封装代码
    封装代码
    U： TO- 252
    工作结点温度。范围
    C： -55 〜150
    °
    C
    处理代码
    TR ：带卷&
    APM2030N U：
    APM2030N
    XXXXX
    XXXXX - 日期代码
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    漏源电压
    栅源电压
    参数
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    等级
    20
    ±10
    V
    单位
    ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
    客户获得​​相关信息在下订单前确认最新版本。
    版权
    茂达电子股份有限公司
    A.1牧师 - 八月， 2002年
    1
    www.anpec.com.tw

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